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Infineon Technologies IPB80P03P4-05ATMA1
| Artikelnummer: | IPB80P03P4-05ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | P-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies IPB80P03P4-05ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPB80P03P4-05ATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 253µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 80A, 10V Verlustleistung (max) 137W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) -
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